韓國三星電子計畫未來3年内導入「環繞閘極技術」（GAA）應用到3奈米晶片，並預計2025年大規模生產2奈米晶片，以求追趕上台灣晶圓代工廠台積電。
台積電的策略是今年下半年進入3奈米晶片市場，採用穩定的FinFET製程，並在2025年佈局2奈米晶片；三星則選擇押注GAA製程應用到3奈米晶片，預計2025年大規模生產2奈米晶片。
該報導也引述專家表示，三星使用的3奈米GAA晶片問題還是在於良率，未來3年成為關鍵，若能維持穩定質量，超越台積電不是沒有機會。
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引用資料來源：新頭殼newtalk